Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTT140P10T

Name: IXYS IXTT140P10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT140P10T
Price: 229.49 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTT140P10T

Tillverk: Nr.:

IXTT140P10T

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er P-Channel: Standard MOSFET

Datablad:

IXTT140P10T Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTT140P10T

På lager: 82

Lager:: 82

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 636

Förväntad 2026-06-01
Fabrikens ledtid:: 37

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	229,49 kr	229,49 kr
	183,80 kr	1 838,00 kr
	158,79 kr	19 054,80 kr
1 020	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-268-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	140 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	10 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	400 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	568 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	26 ns
Transkonduktans framåt - Min:	115 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	26 ns
Serie:	IXTT140P10
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	86 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	58 ns
Enhetens vikt:	6,500 g