IXTQ26N60P

IXYS
747-IXTQ26N60P
IXTQ26N60P

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Minst: 30   Flera: 30
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
48,55 kr 1 456,50 kr
38,90 kr 4 668,00 kr
34,56 kr 17 625,60 kr
30,63 kr 31 242,60 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
270 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
460 W
Enhancement
PolarHV
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 21 ns
Transkonduktans framåt - Min: 16 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 27 ns
Serie: IXTQ26N60
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 75 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 25 ns
Enhetens vikt: 5,500 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Korea
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.