Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTP3N100D2

Name: IXYS IXTP3N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP3N100D2
Price: 66.36 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTP3N100D2

Tillverk: Nr.:

IXTP3N100D2

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Datablad:

IXTP3N100D2 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTP3N100D2

På lager: 491

Lager:: 491

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 650

Förväntad 2026-06-04

250

Förväntad 2026-11-04
Fabrikens ledtid:: 32

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	66,36 kr	66,36 kr
	43,46 kr	434,60 kr
	32,01 kr	3 201,00 kr
	28,41 kr	14 205,00 kr
	26,61 kr	26 610,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	6 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	37.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	125 W
Kanalläge:	Depletion
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	IXTP3N100
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXTP3N100D2 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Korea
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

Smart Metering Solutions

Littelfuse Smart Metering Solutions help designers implement more reliable and safer smart meters. Littelfuse solutions for smart meters allow designers to bring Internet of Things technology to the key functions of a smart metering system.