IXTP1R6N100D2

IXYS
747-IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 337

Lager:
337 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
32 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
52,26 kr 52,26 kr
34,24 kr 342,40 kr
25,12 kr 2 512,00 kr
22,37 kr 11 185,00 kr
20,99 kr 20 990,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
1.6 A
10 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Depletion
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Produkttyp: MOSFETs
Serie: IXTP1R6N100
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Korea
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.