IXTP10N60P

Name: IXYS IXTP10N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP10N60P
Price: 56.5 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTP10N60P

Tillverk: Nr.:

IXTP10N60P

Tillverk:

IXYS

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lager:: 244 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	10 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	740 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	32 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	200 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PolarHV
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	18 ns
Transkonduktans framåt - Min:	6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	24 ns
Serie:	IXTP10N60
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	55 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns
Enhetens vikt:	2 g