Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTK400N15X4

Name: IXYS IXTK400N15X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTK400N15X4
Price: 714.97 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTK400N15X4

Tillverk: Nr.:

IXTK400N15X4

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er TO264 150V 400A N-CH 4CLASS

Datablad:

IXTK400N15X4 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTK400N15X4

På lager: 1 534

Lager:: 1 534 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 41 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	714,97 kr	714,97 kr
	621,16 kr	6 211,60 kr
	541,55 kr	54 155,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-264-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	400 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	430 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	1.5 kW
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	100 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	22 ns
Serie:	X4-Class
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	180 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	40 ns
Enhetens vikt:	10 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXTK400N15X4 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Lösningar för elektrisk fordonsladdning

Littelfuse laddningslösningar för elektriska fordon gör det möjligt för konstruktörer att välja den perfekta lösningen för att säkerställa att deras laddningslösningar för elektriska fordon fungerar och är säkra. Laddningsstationer utanför kretskortet arbetar i tuffa miljöer och utsätts för extrem värme och kyla, regn, snö, och blixtnedslag. Produkter från Littelfuse är skyddade mot dessa risker, vilket minimerar risken för fel.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.

X4-Class 135V-200V Power MOSFETs

IXYS X4-Class 135V-200V Power MOSFETs are developed using a charge compensation principle and proprietary process technology. This technology results in Power MOSFETs with significantly reduced resistance R_DS(on) and gate charge Q_g. A low on-state resistance reduces the conduction losses and lowers the energy stored in the output capacitance, minimizing the switching losses. A low gate charge results in higher efficiency at light loads and lowers gate drive requirements. These MOSFETs are also avalanche-rated and exhibit a superior dv/dt performance. Due to its positive temperature coefficient of on-state resistance, these MOSFETs can be operated in parallel to meet higher current requirements.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.