IXTH3N200P3HV

Name: IXYS IXTH3N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH3N200P3HV
Price: 360.08 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTH3N200P3HV

Tillverk: Nr.:

IXTH3N200P3HV

Tillverk:

IXYS

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lager:: 275 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 51 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	360,08 kr	360,08 kr
	256,20 kr	2 562,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	70 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	520 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	Polar3
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	60 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	27 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	67 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	21 ns
Enhetens vikt:	6 g