Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTH150N15X4

Name: IXYS IXTH150N15X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH150N15X4
Price: 135.89 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTH150N15X4

Tillverk: Nr.:

IXTH150N15X4

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er DiscMSFT NCh HiPerFET-Q Class TO-247AD

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

IXTH150N15X4 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 196

Lager:: 196 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 196 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	135,89 kr	135,89 kr
	103,46 kr	1 034,60 kr
	78,44 kr	9 412,80 kr
	72,82 kr	37 138,20 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	150 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	105 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	480 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Falltid:	6 ns
Transkonduktans framåt - Min:	70 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5 ns
Serie:	X4-Class
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	23 ns
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXTH150N15X4 Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Lösningar för elektrisk fordonsladdning

Littelfuse laddningslösningar för elektriska fordon gör det möjligt för konstruktörer att välja den perfekta lösningen för att säkerställa att deras laddningslösningar för elektriska fordon fungerar och är säkra. Laddningsstationer utanför kretskortet arbetar i tuffa miljöer och utsätts för extrem värme och kyla, regn, snö, och blixtnedslag. Produkter från Littelfuse är skyddade mot dessa risker, vilket minimerar risken för fel.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.