Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTA4N80P

Name: IXYS IXTA4N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA4N80P
Price: 42.51 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTA4N80P

Tillverk: Nr.:

IXTA4N80P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er 3.5 Amps 800V 3 Rds

Datablad:

IXTA4N80P Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTA4N80P

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	42,51 kr	42,51 kr
	27,77 kr	277,70 kr
	17,91 kr	1 791,00 kr
	16,11 kr	8 055,00 kr
	15,05 kr	15 050,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.5 V
Qg - Gate-laddning:	14.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	100 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	29 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	24 ns
Serie:	IXTA4N80
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Enhetens vikt:	1,600 g