Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTA32P20T

Name: IXYS IXTA32P20T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA32P20T
Price: 109.82 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTA32P20T

Tillverk: Nr.:

IXTA32P20T

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er TenchP Power MOSFET

Datablad:

IXTA32P20T Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTA32P20T

På lager: 2 094

Lager:: 2 094 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	109,82 kr	109,82 kr
	66,78 kr	667,80 kr
	60,10 kr	6 010,00 kr
	58,19 kr	29 095,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	200 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	32 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	130 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	180 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	300 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	12 ns
Transkonduktans framåt - Min:	18 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	15 ns
Serie:	IXTA32P20
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	57 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	32 ns
Enhetens vikt:	4 g