Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTA1R4N100P

Name: IXYS IXTA1R4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA1R4N100P
Price: 50.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTA1R4N100P

Tillverk: Nr.:

IXTA1R4N100P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er 1.4 Amps 1000V 11 Rds

Datablad:

IXTA1R4N100P Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTA1R4N100P

På lager: 473

Lager:: 473 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 32 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	50,46 kr	50,46 kr
	32,97 kr	329,70 kr
	21,20 kr	2 120,00 kr
	19,19 kr	9 595,00 kr
	18,44 kr	18 440,00 kr
	18,13 kr	45 325,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1.4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	11 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	17.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	63 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	28 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	35 ns
Serie:	IXTA1R4N100
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	65 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Enhetens vikt:	4 g