Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXTA12N50P

Name: IXYS IXTA12N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA12N50P
Price: 57.66 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTA12N50P

Tillverk: Nr.:

IXTA12N50P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

Datablad:

IXTA12N50P Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXTA12N50P

På lager: 662

Lager:: 662

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 100

Förväntad 2026-09-15
Fabrikens ledtid:: 27

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	57,66 kr	57,66 kr
	37,84 kr	378,40 kr
	27,77 kr	2 777,00 kr
	24,70 kr	12 350,00 kr
	23,64 kr	23 640,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	500 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	500 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.5 V
Qg - Gate-laddning:	29 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	200 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	Polar
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	20 ns
Transkonduktans framåt - Min:	7.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	27 ns
Serie:	IXTA12N50P
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	65 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Enhetens vikt:	1,600 g