IXFX40N90P

IXYS
747-IXFX40N90P
IXFX40N90P

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Polar HiperFET Power MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 294

Lager:
294 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 294 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
303,16 kr 303,16 kr
247,40 kr 2 474,00 kr
215,71 kr 25 885,20 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
40 A
210 mOhms
- 30 V, 30 V
6.5 V
230 nC
- 55 C
+ 150 C
960 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 46 ns
Transkonduktans framåt - Min: 30 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 50 ns
Serie: IXFX40N90
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 77 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 53 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99