IXFX220N17T2

IXYS
747-IXFX220N17T2
IXFX220N17T2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om IXYS IXFX220N17T2

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
25 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 300   Flera: 30
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
112,25 kr 33 675,00 kr
109,29 kr 55 737,90 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
170 V
220 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
500 nC
- 55 C
+ 175 C
1.25 mW
Enhancement
HiPerFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 150 ns
Transkonduktans framåt - Min: 105 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 160 ns
Serie: IXFX220N17
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 40 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 44 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Filippinerna
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.