IXFX120N20

IXYS
747-IXFX120N20
IXFX120N20

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 200V 120A

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Minst: 30   Flera: 30
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
110,66 kr 3 319,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
120 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
300 nC
- 55 C
+ 150 C
560 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 35 ns
Transkonduktans framåt - Min: 77 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 65 ns
Serie: HiPerFET
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 110 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 40 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Korea
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.