IXFR58N20

IXYS
747-IXFR58N20
IXFR58N20

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er HiPerFET Power MOSFET:er

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
152,11 kr 152,11 kr
115,96 kr 1 159,60 kr
96,57 kr 11 588,40 kr
86,07 kr 43 895,70 kr
80,45 kr 82 059,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
50 A
40 mOhms
HiPerFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Produkttyp: MOSFETs
Serie: IXFR58N20
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541900080
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Ej tillgänglig
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.