+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFP5N50P3

Name: IXYS IXFP5N50P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP5N50P3
Price: 28.41 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFP5N50P3

Tillverk: Nr.:

IXFP5N50P3

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er Polar3 HiPerFET Power MOSFET:er

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

IXFP5N50P3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFP5N50P3

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	28,41 kr	28,41 kr
	18,44 kr	184,40 kr
	12,51 kr	1 251,00 kr
	10,21 kr	5 105,00 kr
	9,48 kr	9 480,00 kr
	9,12 kr	22 800,00 kr
	8,86 kr	44 300,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	500 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.65 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	6.9 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	114 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Falltid:	12 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	13 ns
Serie:	IXFP5N50
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	28 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	14 ns
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFP5N50P3 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.