IXFN66N85X

Name: IXYS IXFN66N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN66N85X
Price: 386.58 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN66N85X

Tillverk: Nr.:

IXFN66N85X

Tillverk:

IXYS

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 300 Flera: 10

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	386,58 kr	115 974,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	850 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	65 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	65 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	830 mW
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Falltid:	20 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	48 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	105 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	40 ns
Enhetens vikt:	30 g