+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFN32N100P

Name: IXYS IXFN32N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN32N100P
Price: 428.77 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN32N100P

Tillverk: Nr.:

IXFN32N100P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET-moduler 32 Amps 1000V 0.32 Rds

Datablad:

IXFN32N100P Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFN32N100P

På lager: 191

Lager:: 191 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	428,77 kr	428,77 kr
	361,57 kr	3 615,70 kr
	318,85 kr	31 885,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	27 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	320 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	6.5 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	690 W
Serie:	IXFN32N100
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	43 ns
Höjd:	12.22 mm
Längd:	38.23 mm
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	55 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	HiPerFET
Typ:	Polar Power MOSFET HiPerFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	76 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	50 ns
Bredd:	25.42 mm
Enhetens vikt:	30 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFN32N100P Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Korea
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.