IXFN27N80

Name: IXYS IXFN27N80
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN27N80
Price: 272.63 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN27N80

Tillverk: Nr.:

IXFN27N80

Tillverk:

IXYS

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 300 Flera: 10

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	272,63 kr	81 789,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	27 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	300 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	520 W
Serie:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	40 ns
Höjd:	9.6 mm
Längd:	38.23 mm
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	80 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	HyperFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	75 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Bredd:	25.42 mm
Enhetens vikt:	30 g