Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 430.44 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN210N30P3

Tillverk: Nr.:

IXFN210N30P3

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET-moduler N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Datablad:

IXFN210N30P3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFN210N30P3

På lager: 680

Lager:: 680 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	430,44 kr	430,44 kr
	363,62 kr	3.636,20 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	300 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	192 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	14.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.5 kW
Serie:	IXFN210N30
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	13 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	25 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	94 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	46 ns
Enhetens vikt:	30 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFN210N30P3 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.