IXFN200N07

Name: IXYS IXFN200N07
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN200N07
Price: 448.54 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN200N07

Tillverk: Nr.:

IXFN200N07

Tillverk:

IXYS

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: 202 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 202 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	70 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	200 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	520 W
Serie:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	60 ns
Höjd:	9.6 mm
Längd:	38.23 mm
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	60 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	HyperFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	100 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Bredd:	25.42 mm
Enhetens vikt:	30 g