Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFN110N60P3

Name: IXYS IXFN110N60P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N60P3
Price: 492.9 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN110N60P3

Tillverk: Nr.:

IXFN110N60P3

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET-moduler 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

Datablad:

IXFN110N60P3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFN110N60P3

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 200

Förväntad 2026-07-27

350

Förväntad 2026-08-03
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	492,90 kr	492,90 kr
	419,55 kr	4 195,50 kr
	366,55 kr	36 655,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	90 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	56 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.5 mW
Serie:	IXFN110N60
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	30 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	106 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	63 ns
Enhetens vikt:	30 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFN110N60P3 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Korea
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Korea

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.