Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFK26N120P

Name: IXYS IXFK26N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK26N120P
Price: 346.95 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFK26N120P

Tillverk: Nr.:

IXFK26N120P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er 26 Amps 1200V

Datablad:

IXFK26N120P Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFK26N120P

På lager: 265

Lager:: 265 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 32 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	346,95 kr	346,95 kr
	253,64 kr	2.536,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-264-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	26 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	500 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	6.5 V
Qg - Gate-laddning:	255 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	960 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	58 ns
Transkonduktans framåt - Min:	13 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	55 ns
Serie:	IXFK26N120
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	76 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	56 ns
Enhetens vikt:	10 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFK26N120P Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.