IXFH8N80

IXYS
747-IXFH8N80
IXFH8N80

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 8 Amps 800V 1.1 Rds

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Minst: 30   Flera: 30
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
57,66 kr 1 729,80 kr
46,53 kr 5 583,60 kr
41,34 kr 21 083,40 kr
36,68 kr 37 413,60 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 35 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 15 ns
Serie: IXFH8N80
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 70 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 35 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Filippinerna
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.