IXFH58N20

IXYS
747-IXFH58N20
IXFH58N20

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 200V 58A

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
Minst: 300   Flera: 30
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
101,65 kr 30 495,00 kr
90,63 kr 46 221,30 kr
84,69 kr 86 383,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
58 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 16 ns
Transkonduktans framåt - Min: 32 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 15 ns
Serie: HiPerFET
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 72 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 18 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Korea
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.