Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFH26N50P

Name: IXYS IXFH26N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH26N50P
Price: 99.64 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFH26N50P

Tillverk: Nr.:

IXFH26N50P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er HiPERFET Id26 BVdass500

Datablad:

IXFH26N50P Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFH26N50P

På lager: 3 410

Lager:: 3 410 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	99,64 kr	99,64 kr
	70,49 kr	704,90 kr
	58,62 kr	7 034,40 kr
	52,26 kr	26 652,60 kr
	51,73 kr	52 764,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	500 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	26 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	230 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	60 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	400 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	KR
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Falltid:	20 ns
Transkonduktans framåt - Min:	26 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns
Serie:	HiPerFET
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	58 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns
Enhetens vikt:	6 g