Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFA80N25X3

Name: IXYS IXFA80N25X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA80N25X3
Price: 114.37 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFA80N25X3

Tillverk: Nr.:

IXFA80N25X3

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

Datablad:

IXFA80N25X3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFA80N25X3

På lager: 634

Lager:: 634 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	114,37 kr	114,37 kr
	71,34 kr	713,40 kr
	62,43 kr	6 243,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	250 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	13 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	83 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	390 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Falltid:	8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	38 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	17 ns
Serie:	X3-Class
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	65 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Enhetens vikt:	4 g