Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFA72N30X3-TRL

Name: IXYS IXFA72N30X3-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA72N30X3-TRL
Price: 64.77 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFA72N30X3-TRL

Tillverk: Nr.:

IXFA72N30X3-TRL

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er IXFA72N30X3 TRL

Datablad:

IXFA72N30X3-TRL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 800 Flera: 800

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	64,77 kr	51 816,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

IXFA72N30X3

Emballage:

Tube

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

118,72 kr

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	300 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	72 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	19 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	82 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	390 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	11 ns
Transkonduktans framåt - Min:	36 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns
Serie:	HiPerFET
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	86 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Enhetens vikt:	4 g