IXFA4N100Q

IXYS
747-IXFA4N100Q
IXFA4N100Q

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 4 Amps 1000V 2.8 Rds

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 360

Lager:
360 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
87,34 kr 87,34 kr
63,71 kr 637,10 kr
58,19 kr 5 819,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
4 A
3 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Falltid: 18 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 15 ns
Serie: IXFA4N100
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 32 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 17 ns
Enhetens vikt: 4 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Korea
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Korea
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.