IXFA18N65X2

Name: IXYS IXFA18N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA18N65X2
Price: 33.39 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFA18N65X2

Tillverk: Nr.:

IXFA18N65X2

Tillverk:

IXYS

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 300 Flera: 50

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	33,39 kr	10 017,00 kr
	29,47 kr	14 735,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	18 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	200 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	29 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	290 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	26 ns
Transkonduktans framåt - Min:	8 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	30 ns
Serie:	650V Ultra Junction X2
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns
Enhetens vikt:	4 g