Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXFA12N50P

Name: IXYS IXFA12N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA12N50P
Price: 61.16 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFA12N50P

Tillverk: Nr.:

IXFA12N50P

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er 500V 12A

Datablad:

IXFA12N50P Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFA12N50P

På lager: 170

Lager:: 170 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	61,16 kr	61,16 kr
	39,11 kr	391,10 kr
	29,36 kr	2 936,00 kr
	24,80 kr	12 400,00 kr
	24,49 kr	24 490,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	500 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	500 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.5 V
Qg - Gate-laddning:	29 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	200 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Falltid:	20 ns
Transkonduktans framåt - Min:	7.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	27 ns
Serie:	IXFA12N50P
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	65 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Enhetens vikt:	4 g