Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IXBF42N300

Name: IXYS IXBF42N300
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBF42N300
Price: 742.42 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXBF42N300

Tillverk: Nr.:

IXBF42N300

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er ISOPLUS 3KV 24A DIODE

Datablad:

IXBF42N300 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXBF42N300

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 54 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 300 Flera: 25

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	742,42 kr	222 726,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	ISOPLUS-i4-PAK-3
Handelsnamn:	BIMOSFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkttyp:	MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Enhetens vikt:	6,500 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXBF42N300 Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high L_di/dt voltage transients from inflicting damage to the device.