IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVC2M16EL7010BLI
Price: 68.69 SEK
Availability: InStock

Mouser nr:

870-WVC2M16EL7010BLI

Tillverk: Nr.:

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Tillverk:

ISSI

Beskrivning:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Datablad:

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

På lager: 480

Lager:: 480 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	68,69 kr	68,69 kr
	64,02 kr	640,20 kr
	62,12 kr	1 553,00 kr
	60,63 kr	3 031,50 kr
	59,15 kr	5 915,00 kr
	57,35 kr	14 337,50 kr
	55,86 kr	26 812,80 kr
	53,64 kr	51 494,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ISSI
Produktkategori:	SRAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	32 Mbit
Organisation:	2 M x 16
Åtkomsttid:	70 ns
Gränssnittstyp:	Parallel
Maximal matningsspänning:	1.95 V
Minimal matningsspänning:	1.7 V
Strömstyrka - Max:	30 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Märke:	ISSI
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	SRAM
Serie:	IS66WVC2M16EALL
Fabriksförpackningskvantitet:	480
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Taiwan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.