IS29GL256-70DLEB

ISSI
870-IS29GL256-70DLEB
IS29GL256-70DLEB

Tillverk:

Beskrivning:
NOR-flash 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 501

Lager:
501 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
101,65 kr 101,65 kr
94,55 kr 945,50 kr
91,58 kr 2 289,50 kr
89,46 kr 4 473,00 kr
87,24 kr 8 724,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
126,35 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ISSI
Produktkategori: NOR-flash
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
BGA-64
IS29GL256
256 Mbit
2.7 V
3.6 V
45 mA
Parallel
32 M x 8/16 M x 16
8 bit/16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 105 C
Märke: ISSI
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: NOR Flash
Hastighet: 70 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 260
Underkategori: Memory & Data Storage
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Taiwan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Kina
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices

ISSI IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The ISSI IS29GL256 devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.