GS81314LD18GK-133

GSI Technology
464-GS81314LD18GK133
GS81314LD18GK-133

Tillverk:

Beskrivning:
SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Minst: 10   Flera: 10
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
6 278,80 kr 62 788,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
GSI Technology
Produktkategori: SRAM
RoHS-direktivet:  
144 Mbit
8 M x 18
1.333 GHz
Parallel
1.35 V
1.2 V
2.7 A
0 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-260
Tray
Märke: GSI Technology
Minnestyp: QDR_IVe
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: SRAM
Serie: GS81314LD18GK
Fabriksförpackningskvantitet: 10
Underkategori: Memory & Data Storage
Handelsnamn: SigmaQuad-IVe
Typ: SigmaQuad-IVe B4
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Ej tillgänglig
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Quad SRAMs

GSI Technology Quad SRAMs combine capacity and performance with the ability to transfer four beats of data (two beats per data bus) in a single clock cycle. SigmaQuad SRAMs are synchronous memories with separate read and write data buses with unequaled transaction rates by competitors.

SigmaQuad-IVe ECCRAMs

GSI Technology SigmaQuad-IVe ECCRAMs are the Separate I/O half of the SigmaQuad-IVe/SigmaDDR-IVe family of high performance ECCRAMs. The devices are similar to GSI's third generation of networking SRAMs but offer several new features that help enable significantly higher performance. GSI's ECCRAMs implement an ECC algorithm that detects and corrects all single-bit memory errors, including those induced by SER events. These events include cosmic rays, alpha particles, etc. The resulting Soft Error Rate of these devices is anticipated to be <0.002 FITs/Mb. A 5-order-of-magnitude improvement over comparable SRAMs with no on-chip ECC, which typically have an SER of 200FITs/Mb or more.