EPC2103

EPC
65-EPC2103
EPC2103

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Livscykel:
Nytt hos Mouser
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 930

Lager:
930 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
104,94 kr 104,94 kr
72,61 kr 726,10 kr
56,50 kr 5 650,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 500)
47,91 kr 23 955,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
EPC
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
2-Channel
80 V
30 A
5.5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.5 nC, 6.5 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Märke: EPC
Konfiguration: Dual
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkttyp: GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet: 500
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN
Transistortyp: 2 N-Channel
Typ: Half-Bridge
Enhetens vikt: 23 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Taiwan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.