+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CDMSJ22013.8-650 SL

Name: Central Semiconductor CDMSJ22013.8-650 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDMSJ220138650SL
Price: 39.75 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

610-CDMSJ220138650SL

Tillverk: Nr.:

CDMSJ22013.8-650 SL

Tillverk:

Central Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

Datablad:

CDMSJ22013.8-650 SL Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Central Semiconductor CDMSJ22013.8-650 SL

På lager: 429

Lager:: 429 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	39,75 kr	39,75 kr
	20,46 kr	204,60 kr
	18,55 kr	1 855,00 kr
	15,16 kr	7 580,00 kr
	14,63 kr	14 630,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Central Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220FP-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	13.8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	280 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	30 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	35.7 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	66 ns
Transkonduktans framåt - Min:	13 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	69 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	N-Channel Super Junction Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	171 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	43 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CDMSJ22013.8-650 SL Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low R_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).