CE3512K2

Name: CEL CE3512K2
Brand: CEL
SKU: 551-CE3512K2
Price: 20.27 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

551-CE3512K2

Tillverk: Nr.:

CE3512K2

Tillverk:

CEL

Beskrivning:

RF JFET-transistorer 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Datablad:

CE3512K2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om CEL CE3512K2

På lager: 812

Lager:: 812 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 2 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	20,27 kr	20,27 kr
	13,63 kr	136,30 kr
	11,12 kr	1.112,00 kr
	9,74 kr	4.870,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

CE3512K2-C1

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

15,70 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

CEL

Tillverk: Nr.:

CE3512K2-C1

Beskrivning:

RF JFET-transistorer 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	CEL
Produktkategori:	RF JFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistortyp:	pHEMT
Teknologi:	GaAs
Manövreringsfrekvens:	12 GHz
Förstärkning:	13.7 dB
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	4 V
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 3 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	10 mA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Pd - Effektavledning:	125 mW
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	MICRO-X-4
Förpackning:	Bulk
Märke:	CEL
Konfiguration:	Single
Transkonduktans framåt - Min:	54 mS
Gate-källans avstängningsspänning:	- 750 mV
NF - brustal:	0.3 dB
Produkttyp:	RF JFET Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Transistors
Enhetens vikt:	16,473 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CE3512K2 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.