AS6C4008-55BINTR

Name: Alliance Memory AS6C4008-55BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS6C4008-55BINTR
Price: 71.97 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

913-AS6C4008-55BINTR

Tillverk: Nr.:

AS6C4008-55BINTR

Tillverk:

Alliance Memory

Beskrivning:

SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

Datablad:

AS6C4008-55BINTR Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Alliance Memory AS6C4008-55BINTR

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 2000 Flera: 2000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	71,97 kr	143 940,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Alliance Memory
Produktkategori:	SRAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Åtkomsttid:	55 ns
Gränssnittstyp:	Parallel
Maximal matningsspänning:	5.5 V
Minimal matningsspänning:	2.7 V
Strömstyrka - Max:	60 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TFBGA-36
Förpackning:	Reel
Märke:	Alliance Memory
Minnestyp:	SDR
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	SRAM
Serie:	AS6C4008
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Memory & Data Storage
Typ:	Asynchronous

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AS6C4008-55BINTR Datablad (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Taiwan
Distributionsland:: Kina

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.