AS4C32M16D2C-25BINTR

Alliance Memory
913-C32M16D2C25BINTR
AS4C32M16D2C-25BINTR

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
6 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 2500   Flera: 2500
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
29,10 kr 72.750,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Alliance Memory
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR2
512 Mbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
32 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
- 40 C
+ 95 C
Reel
Märke: Alliance Memory
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 75 mA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.