AS4C256M16D3LC-10BIN

Name: Alliance Memory AS4C256M16D3LC-10BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C256M16D3L10BIN
Price: 373.86 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

913-4C256M16D3L10BIN

Tillverk: Nr.:

AS4C256M16D3LC-10BIN

Tillverk:

Alliance Memory

Beskrivning:

DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray

Datablad:

AS4C256M16D3LC-10BIN Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Alliance Memory AS4C256M16D3LC-10BIN

På lager: 161

Lager:: 161 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	373,86 kr	373,86 kr
	346,09 kr	3 460,90 kr
	335,07 kr	8 376,75 kr
	326,69 kr	16 334,50 kr
	318,00 kr	31 800,00 kr
	305,92 kr	63 937,28 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Alliance Memory
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM - DDR3L
Minnesstorlek:	4 Gbit
Databussbredd:	16 bit
Maximal klockfrekvens:	933 MHz
Paket/låda:	FBGA-96
Organisation:	256 M x 16
Åtkomsttid:	20 ns
Minimal matningsspänning:	1.283 V
Maximal matningsspänning:	1.45 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 95 C
Förpackning:	Tray
Märke:	Alliance Memory
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	209
Underkategori:	Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max:	84 mA

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AS4C256M16D3LC-10BIN Datablad (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Taiwan
Distributionsland:: Taiwan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.