AS4C16M16MSA-6BIN

Name: Alliance Memory AS4C16M16MSA-6BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C16M16MSA6BIN
Price: 98.05 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

913-AS4C16M16MSA6BIN

Tillverk: Nr.:

AS4C16M16MSA-6BIN

Tillverk:

Alliance Memory

Beskrivning:

DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Datablad:

AS4C16M16MSA-6BIN Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Alliance Memory AS4C16M16MSA-6BIN

På lager: 263

Lager:: 263 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	98,05 kr	98,05 kr
	91,05 kr	910,50 kr
	88,30 kr	2 207,50 kr
	86,28 kr	4 314,00 kr
	84,16 kr	8 416,00 kr
	80,67 kr	20 167,50 kr
	78,44 kr	39 220,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Alliance Memory
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM Mobile
Minnesstorlek:	256 Mbit
Databussbredd:	16 bit
Maximal klockfrekvens:	166 MHz
Paket/låda:	FBGA-54
Organisation:	16 M x 16
Åtkomsttid:	6 ns
Minimal matningsspänning:	1.7 V
Maximal matningsspänning:	1.95 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	AS4C16M16MSA-6
Förpackning:	Tray
Märke:	Alliance Memory
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	319
Underkategori:	Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max:	80 mA

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AS4C16M16MSA-6BIN Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Taiwan
Monteringsland:: Taiwan
Distributionsland:: Taiwan

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.