AS4C128M8D3LB-12BCN

Alliance Memory
913-A4C1288D3LB12BCN
AS4C128M8D3LB-12BCN

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (B die), Commercial Temp - Tray

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 29

Lager:
29 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
128,68 kr 128,68 kr
119,36 kr 1 193,60 kr
115,54 kr 2 888,50 kr
110,13 kr 5 506,50 kr
107,38 kr 10 738,00 kr
105,79 kr 25 601,18 kr
103,14 kr 49 919,76 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Alliance Memory
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
AS4C128M8D3LB
Tray
Märke: Alliance Memory
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 242
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 72 mA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Taiwan
Monteringsland:
Taiwan
Distributionsland:
Taiwan
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.

DDR3L SDRAM

Alliance Memory DDR3L SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface that transfers two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins. Alliance Memory DDR3L SDRAM is available in various package sizes.