AS4C128M8D3B-12BINTR

Alliance Memory
913-A4C1288D3B12BINT
AS4C128M8D3B-12BINTR

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.5V, 78-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 2500   Flera: 2500
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
100,91 kr 252 275,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Tray
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
119,67 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Alliance Memory
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR3
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 95 C
AS4C128M8D3B
Reel
Märke: Alliance Memory
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 72 mA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Taiwan
Monteringsland:
Taiwan
Distributionsland:
Taiwan
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.