ALD910027SALI

Name: Advanced Linear Devices ALD910027SALI
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD910027SALI
Price: 85.44 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

585-ALD910027SALI

Tillverk: Nr.:

ALD910027SALI

Tillverk:

Advanced Linear Devices

Beskrivning:

MOSFET:er Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V

Datablad:

ALD910027SALI Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Advanced Linear Devices ALD910027SALI

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 2 048

Förväntad 2026-06-12
Fabrikens ledtid:: 5

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	85,44 kr	85,44 kr
	57,45 kr	574,50 kr
	55,23 kr	5 523,00 kr
	49,08 kr	24 540,00 kr
	48,87 kr	48 870,00 kr
	44,73 kr	111 825,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Advanced Linear Devices
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	10.6 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	400 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.72 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Pd - Effektavledning:	500 mW
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Produkttyp:	MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	10 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns
Enhetens vikt:	74 mg