ALD212900PAL

Advanced Linear Devices
585-ALD212900PAL
ALD212900PAL

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 34

Lager:
34 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
7 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
100,17 kr 100,17 kr
55,97 kr 559,70 kr
51,41 kr 5 141,00 kr
48,34 kr 24 170,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Advanced Linear Devices
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
PDIP-8
N-Channel
2 Channel
10 V
79 mA
14 Ohms
- 12 V, 12 V
20 mV
0 C
+ 70 C
500 mW
Depletion
Tube
Märke: Advanced Linear Devices
Konfiguration: Dual
Produkttyp: MOSFETs
Serie: ALD212900P
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 10 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 10 ns
Enhetens vikt: 1 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Filippinerna
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These dual monolithic devices are enhanced additions to the ALD110900A/ALD110900 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, they feature Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels. These precision devices are versatile as design components for a broad range of analog small signal applications such as basic building blocks for current mirrors, matching circuits, current sources, differential amplifier input stages, transmission gates, and multiplexers. They also excel in limited operating voltage applications, such as very low level voltage-clamps and nano-power normally-on circuits.
Learn More