ALD110914SAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110914SAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110914SAL
Price: 86.28 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

585-ALD110914SAL

Tillverk: Nr.:

ALD110914SAL

Tillverk:

Advanced Linear Devices

Beskrivning:

MOSFET:er Dual EPAD(R) N-Ch

Datablad:

ALD110914SAL Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 32

Lager:: 32 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 32 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	86,28 kr	86,28 kr
	57,35 kr	573,50 kr
	46,43 kr	4 643,00 kr
	41,23 kr	20 615,00 kr
	36,57 kr	36 570,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Advanced Linear Devices
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	10 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	500 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.38 V
Minsta drifttemperatur:	0 C
Maximal drifttemperatur:	+ 70 C
Pd - Effektavledning:	500 mW
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Dual
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	ALD110914S
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	10 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns
Enhetens vikt:	74 mg