ALD110908ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110908ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110908ASAL
Price: 65.72 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

585-ALD110908ASAL

Tillverk: Nr.:

ALD110908ASAL

Tillverk:

Advanced Linear Devices

Beskrivning:

MOSFET:er Dual EPAD(R) N-Ch

Datablad:

ALD110908ASAL Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 50 Flera: 50

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	65,72 kr	3 286,00 kr
	53,11 kr	5 311,00 kr
	47,28 kr	23 640,00 kr
	41,76 kr	41 760,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Advanced Linear Devices
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOIC-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	10 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	500 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	780 mV
Minsta drifttemperatur:	0 C
Maximal drifttemperatur:	+ 70 C
Pd - Effektavledning:	500 mW
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Advanced Linear Devices
Konfiguration:	Dual
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	ALD110908A
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	10 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns
Enhetens vikt:	74 mg