Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPW60R017C7XKSA1

Name: Infineon IPW60R017C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R017C7XKSA1
Price: 186.56 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPW60R017C7XKSA1

Tillverk: Nr.:

IPW60R017C7XKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er HIGH POWER_NEW

Datablad:

IPW60R017C7XKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPW60R017C7XKSA1

På lager: 1 492

Lager:: 1 492 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	186,56 kr	186,56 kr
	116,81 kr	1 168,10 kr
	111,19 kr	11 119,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	109 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	17 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	240 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	446 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolMOS
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	DE
Ursprungsland:	DE
Falltid:	4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns
Serie:	CoolMOS C7
Fabriksförpackningskvantitet:	240
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	106 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Del # Alias:	IPW60R017C7 SP001313542
Enhetens vikt:	6 g